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        ICP-AES和ICP-MS、AAS方法的比較

        瀏覽次數:3740發布日期:2017-03-28

        隨著ICP-AES的流行使很多實驗室面臨著再增購一臺ICP-AES,還是停留在原來使用AAS上的抉擇。現在一個新的技術ICP-MS又出現了,雖然價格較高,但ICP-MS具有ICP-AES的優點及比石墨爐原子吸收(GF-AAS)更低的檢出限的優勢。因此如何根據分析任務來判斷其適用性呢?

        ICP-MS是一個以質譜儀作為檢測器的等離子體,ICP-AES和ICP-MS的進樣部分及等離子體是極其相似的。ICP-AES測量的是光學光譜(120nm-800nm),ICP-MS測量的是離子質譜,提供在3-250amu范圍內每個原子質量單位(amu)的信息。還可進行同位素測定。尤其是其檢出限給人極深刻的印象,其溶液的檢出限大部分為ppt級,石墨爐AAS的檢出限為亞ppb級,ICP-AES大部分元素的檢出限為1-10ppb,一些元素也可得到亞ppb級的檢出限。但由于ICP-MS的耐鹽量較差,ICP-MS的檢出限實際上會變差,多大50倍。一些輕元素(如S、Ca、Fe、K、Se)在ICP-MS中有嚴重的干擾,其實際檢出限也很差。下表列出這幾種方法的檢出限的比較:

         

        表3 ICP-MS、ICP-AES與AAS方法檢出限的比較(ug/L

        元素

        ICP-MS

        ICP-AES

        GF-AAS

        F-AAS

        Ag

        0.003

        0.3

        0.01

        1.5

        Al

        0.006

        0.2

        0.1

        45

        Au

        0.001

        0.6

        0.1

        9

        B

        0.09

        0.3

        20

        1000

        Ba

        0.002

        0.04

        0.35

        15

        Be

        0.03

        0.05

        0.003

        1.5

        Bi

        0.0005

        2.6

        0.25

        30

        Ca

        0.5

        0.02

        0.01

        1.5

        Cd

        0.003

        0.09

        0.008

        0.8

        Ce

        0.0004

        2.0

        --

        --

        Co

        0.0009

        0.2

        0.15

        9

        Cr

        0.02

        0.2

        0.03

        3

        Cs

        0.0005

        --

        0.04

        15

        Cu

        0.003

        0.2

        0.04

        1.5

        Fe

        0.4

        0.2

        0.1

        5

        Ga

        0.001

        4.0

        0.1

        50

        Hf

        0.0006

        3.3

        --

        300

        Hg

        0.004

        0.5

        0.6

        50

        In

        0.0005

        9.0

        0.04

        30

        K

        1

        0.2

        0.008

        3

        La

        0.0005

        1.0

        --

        2000

        Li

        0.027

        0.2

        0.06

        0.8

        Mg

        0.007

        0.01

        0.004

        0.1

        Mn

        0.002

        0.04

        0.02

        0.8

        Mo

        0.03

        0.2

        0.08

        30

        Na

        0.03

        0.5

        --

        0.3

        Nb

        0.0009

        5.0

        --

        1500

        Ni

        0.005

        0.3

        0.3

        5

        Os

        --

        0.13

        --

        120

        P

        0.001

        1.5

        0.06

        10

        Pb

        0.001

        1.5

        0.06

        10

        Pd

        0.0009

        3.0

        0.8

        10

        Pt

        0.002

        4.7

        1

        6

        Rb

        0.003

        30

        0.03

        3

        Re

        0.0006

        3.3

        --

        600

        Rh

        0.0008

        5.0

        0.8

        6

        Ru

        0.002

        6.0

        --

        60

        S

        70

        9.0

        --

        --

        Sb

        0.001

        2.0

        0.15

        30

        Sc

        0.015

        0.09

        6

        30

        Se

        0.06

        1.5

        0.3

        100

        Si

        0.7

        1.5

        1.0

        90

        Sn

        0.002

        1.3

        0.2

        50

        Sr

        0.0008

        0.01

        0.025

        3

        Ta

        0.0006

        5.3

        --

        1500

        Te

        0.01

        10

        0.1

        30

        Th

        0.0003

        5.4

        --

        --

        Ti

        0.006

        0.05

        0.35

        7.5

        Tl

        0.0005

        1.0

        0.15

        15

        U

        0.0003

        5.4

        --

        15000

        V

        0.002

        0.2

        0.1

        20

        W

        0.001

        2.0

        --

        1500

        Y

        0.0009

        0.3

        --

        75

        Zn

        0.003

        0.2

        0.01

        1.5

        zr

        0.004

        0.3

        --

        450

         

        這集中分析技術的分析性能可以從下面幾個方面進行比較:

         

        1.容易使用程度:

        在日常工作中,從自動化來講,ICP-AES是zui成熟的,可有技術不熟練的人員來應用ICP-AES專家制定的方法進行工作。ICP-MS的操作直到現在仍然較為復雜,盡管近年來在計算機控制和智能化軟件方面有很大的進步,但在常規分析前仍需由技術人員進行精密的調整,ICP-MS的方法研究也是很復雜及耗時的工作。GF-AAS的常規工作雖然是比較容易的但制定方法仍需要相當熟練的技術。

         

        2.分析試液中的總固體溶解量(TDS):

        在常規工作中,ICP-AES可分析10%TDS的溶液,甚至可以高至30%的鹽溶液。在短時期內ICP-MS可分析0.5%的溶液,但在大多數情況下采用不大于0.2%TDS的溶液為佳。當原始樣品是固體時,與ICP-AES,GP-AAS相比,ICP-MS需要更高的稀釋倍數,折算到原始固體樣品中的檢出限就顯示不出很大的優勢了。

         

        3.線性動態范圍(LDR):

        ICP-MS具有超過105以上的LDR,各種方法可使其LDR開展至108。但不管如何,對ICP-MS來說:高基體濃度會使分析出現問題,而這些問題的解決方案是稀釋。因此,ICP-MS應用的主要領域在痕量/超痕量分析。

        GF-AAS的LDR限制在102-103,如選用次靈敏線可進行高一些濃度的分析。

        ICP-AES具有105以上的LDR且抗鹽份能力強,可進行痕量及主要元素的測定,ICP-AES可測定的濃度高達百分含量,因此,ICO-AES可以很好地滿足實驗室主、次、痕量元素常規分析的需要。

         

        4.精密度:

        ICP-MS的短期精密度一般是1-3%RSD,這是應用多內標法在常規工作中得到的。

        ICP-AES的短期精密度一般為0.3-1%RSD,幾個小時的長期精密度小于3%RSD。

        GF-AAS的短期精密度為0.5-5%RSD,長期精密度的因素不在于時間而視石墨管的使用次數。

         

        5.樣品分析能力:

        ICP-MS和ICP-AES的分析能力體現在其可以多元素同時測定上。

        ICP-AES的分析速度取決于是采用全譜直讀型還是單道掃描型,每個樣品所需的時間為2或6分鐘,全譜直讀型較快,一般為2分鐘測定一個樣品。

        GF-AAS的分析速度為每個樣品中每個元素需要3-4分鐘,可以無人自動工作,可保證其對樣品的分析能力。

         

        6.運行的費用:

        ICP-MS運行費用要高于ICP-AES,因為ICP-MS的一些部件如分子渦輪泵、取樣錐和截取錐以及檢測器有一定的使用壽命而且需要更換。

        ICP-AES主要是霧化器與炬管的消耗,這和ICP-MS一樣,其使用壽命是相同的。

        GF-AAS則主要是石墨管的使用壽命及其費用。

        這三種技術均使用Ar氣,其消耗量是一筆相當的費用,ICP技術的Ar費用遠高于GF-AAS。

         

        可以看出來這些技術是相互補充的,沒有一種技術能滿足所有的分析要求,只要某一種技術稍優于另一種技術的地方。下表是AAS、ICO-AES、ICP-MS三種技術的分析性能的簡單比較:

         

        表4 ICP-MS、ICP-AES與AAS分析性能的簡單比較

        方法類型

        ICP-MS

        ICP-AES

        GF-AAS

        F-AAS

        檢出限

        絕大部分元素非常好

        絕大部分元素很好

        部分元素非常好

        部分元素較好

        分析能力

        動態范圍

           
         

        108

        106

        107

        103

        精密度(RSD)

        短期

        1-3%

        0.3-1%

        1-5%

        0.1-1%

        長期(4h)

        <5%

        <3%

        --

        --

        干擾情況

        光(質)譜干擾

        很少

        化學(基體)

        中等

        幾乎沒有

        電離干擾

        很少

        很少

        很少

        有一些

        質量效應

        存在

        不存在

        不存在

        不存在

        同位素干擾

        固體溶解量(Max.)

        0.1-0.5%

        2-10%

        >20%

        0.5-3%

        可測元素

        >75

        >73

        >50

        >68

        樣品用量

        較多

        很少

        半定量分析

        不能

        不能

        同位素分析

        不能

        不能

        不能

        分析方法開發

        需要專業知識

        需要專業技術

        需要專業技術

        容易

        無人控制操作

        不能

        使用易燃氣體

        運行費用

        中上

        中等

         

        根據分析溶液中待測元素的濃度來看,若每個樣品測定1-3個元素,元素濃度為亞或低于ppb級,如果被測元素要求能夠滿足的情況下,選用GF-AAS是zui合適的;若每個樣品5-20個元素,含量為亞ppm至%,選用ICP-AES是zui合適的;如果每個樣品需測4個以上的元素,在亞ppb含量,而且樣品的數量也相當大,選用ICP-MS是較合適的。

        可以看出ICP-AES是比較理想的分析方法,是實驗室應當配置的常規分析手段。如果實驗室選用了ICP-AES來取代ICP-MS,那么實驗室能配備GF-AAS。這一配置可以滿足一般實驗室對于主、次、痕量成分分析的需要。

        ICP-AES法在冶金分析應用上可能出現的zui大困難在于如何解決光譜干擾問題。這也是ICP分析技術發展中需要不斷解決的研究課題。

        IVP-AES法基體效應,可以應用內標法來解決例如霧化室效應、試樣與標準溶液之間粘度差異所帶來的基體效益;背景較高可以采用離線背景校正,應用動態背景校正對提高準確度也是很有效的。IVP-AES法zui大的干擾是譜線干擾,其光譜線數量很大而且光譜線干擾也較難解決。有記載的ICP-AES譜線有50000多條,元素間的譜線干擾及基體的譜線干擾也就很嚴重。因此,對某些樣品例如鋼鐵、冶金產品的分析必須采用使用高分辨率的ICP-AES儀器,盡量把可能干擾的譜線分開。各種分子粒子(如OH)的譜線或譜帶對某些低含量的被測元素也帶來干擾,影響其樣品分析中的實際檢出限。因此使用CCD陣列檢測器的儀器,以便準確快速地得到待測譜線及相鄰背景信息,并對分析譜線和背景進行同步測量,可實現離峰法測量而避開譜線干擾,或采用MSF法或IEC法扣除干擾。選擇每個元素的適宜分析條件或加入電離緩衡劑(如過量的I族元素)可以減少易電離元素的影響。

         

        小結:

        在日常工作中ICP-AES分析技術是zui成熟的,可由技術不熟練的人員應用ICP-AES技術人員制定的分析方法來進行工作。在常規工作中,ICP-AES 可分析10%TDS的溶液,甚至可以高至30%的鹽溶液。ICP-AES具有106以上的線性范圍LDR且抗鹽份能力強,可以同時進行痕量及主要元素的測定,ICP-AES可同時直接測定0.001-60%的濃度含量。ICP-AES外加ICP-MS,或GF-AAS便可很好地滿足實驗室的分析需要。對于每個樣品分析5-20個元素,含量在亞ppm至%,使用ICP-AES是zui合適的。ICP-AES和GF-AAS由于現代自動化設計以及使用惰性氣體的安全性,可以整夜無人看管工作。因此,ICP儀器必將成為冶金分析實驗室的基本配置,其分析技術在冶金分析中發揮越來越重要的作用。

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